；其中，2023年刻蚀设备销售约47.03亿元，同比增长约49.43%；MO毛利维持较高水平，公司扣非后归母净利润较上年同期增加约2.72亿元。非经常性损益的变动主要系公司于2023年出售了部分持有的

　　订单方面，中微公司2023年新增订单金额约83.6亿元，同比增长约32.3%。其中刻蚀设备新增订单约69.5亿元，同比增长约60.1%；由于中微的MOCVD设备已经在蓝绿光LED生产线上占据绝对领先的市占率，受终端市场波动影响，2023年MOCVD设备订单同比下降约72.2%。

　　研发方面加工设备，公司2023年研发投入总额12.62亿元，较2022年增加35.89%，主要系随着研发项目的开展，研发材料投入增加以及研发人员增加下职工薪酬增长。

　　公开资料显示，中微公司的主营产品等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。

　　谈及发展和经营情况，公司董事长尹志尧在年报致辞中介绍：公司在过去的近20年着力开发了一个完整系列的15种等离子刻蚀设备，相关产品在性能、稳定性和可靠性等方面满足了客户先进制程中各类严苛需求。公司在CCP和ICP刻蚀设备反应器系统设计上，除行业传统的单反应台六个反应器系统外，特别开发了双反应台三个反应器的系统，其刻蚀速度的匹配性，已达到0.1纳米以下的精准水平，整体性价比优于分立的两个单反应台反应器。

　　“双台机实际上可以覆盖一多半的刻蚀应用，是国外一流刻蚀设备厂商都没有的高性能、高输出量、低成本的优选解决方案。在国际最先进的芯片制造客户生产线台中微的双反应台刻蚀设备，其中一半的双台机用于5纳米和更先进的制程。”尹志尧谈到。

　　据披露，受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2023年公司CCP和ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升。公司的TSV硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用于先进封装和MEMS器件生产。公司近两年新开发了沉积各种导体薄膜的LPCVD设备和ALD设备，目前已有四款设备产品进入市场，其中三款设备已获客户认证，并开始得到重复性订单。公司新开发的硅和锗硅外延EPI设备、晶圆边缘Bevel刻蚀设备等多个新产品，也计划在2024年投入市场验证。公司开发的氮化镓基的LED照明和Mini-LED显示所用的MOCVD设备已成为国内外绝大多数LED生产线的首选设备。此外，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备。

　　产业化建设项目方面，年报显示，公司在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已于2023年7月投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地部分生产厂房及成品仓库已经于2023年10月投入使用；上海临港滴水湖畔约10万平方米的研发中心暨总部大楼也将封顶，为今后的大发展夯实基础。

　　展望未来，尹志尧在年报中写道，公司将继续瞄准世界科技前沿，不断开发更多的高端设备产品，持续锻造并提升经营管理能力，坚持三维发展战略，坚持践行“四个十大”，实现高速、稳定、健康和安全的高质量发展，力争尽早在规模上和竞争力上成为国际一流的半导体设备公司。

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